RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1411
3010
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaison des RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link