RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
65
Autour de 58% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
65
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.2
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1411
1836
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaison des RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link