RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
27
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
20
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.2
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1411
3162
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaison des RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link