RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1411
2664
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaison des RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link