RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Note globale
Teclast TLD416G26A30 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Teclast TLD416G26A30 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.2
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1411
2719
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaison des RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link