RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
35
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.1
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1998
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link