RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
26
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.1
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3832
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link