Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 21.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    37 left arrow 61
    Autour de -65% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    14.3 left arrow 1,670.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 6400
    Autour de 3 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    61 left arrow 37
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,529.3 left arrow 21.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,670.4 left arrow 14.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    517 left arrow 3448
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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