RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
61
Autour de -74% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,670.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,529.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.4
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
517
2336
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link