RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
66
Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,167.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,885.7
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,167.9
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
284
3199
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link