RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Comparez
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Note globale
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
22.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,160.7
18.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
43
Autour de -153% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
17
Vitesse de lecture, GB/s
5,987.5
22.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,160.7
18.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
957
3847
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link