RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Comparez
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Note globale
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
80
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,160.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
80
Vitesse de lecture, GB/s
5,987.5
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,160.7
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
957
1775
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link