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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Comparez
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Note globale
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
39
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.8
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3152
2221
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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