RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Comparez
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Note globale
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
60
Autour de -161% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,234.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,045.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,234.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
467
2960
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link