RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Comparez
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Note globale
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,475.5
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
56
Autour de -107% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8800
Autour de 1.93 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,878.3
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,475.5
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8800
17000
Other
Description
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
598
3956
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparaison des RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link