RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparez
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Note globale
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,475.5
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
56
Autour de -47% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8800
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,878.3
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,475.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8800
21300
Other
Description
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
598
2148
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparaison des RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link