RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparez
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Note globale
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Note globale
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
76
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
2,475.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8800
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
76
Vitesse de lecture, GB/s
4,878.3
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,475.5
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8800
21300
Other
Description
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
598
1260
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparaison des RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link