Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Note globale
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    56 left arrow 74
    Autour de 24% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 13.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.7 left arrow 2,475.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 8800
    Autour de 2.42 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    56 left arrow 74
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,878.3 left arrow 13.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,475.5 left arrow 7.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    8800 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    598 left arrow 1616
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons