RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Comparez
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Note globale
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Note globale
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
46
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13
11
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
46
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2268
2481
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link