RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
57
Autour de -185% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
20
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
3120
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link