RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
57
Autour de -97% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
29
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
3416
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link