RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
57
Autour de -235% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
17
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
3481
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link