RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
57
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
32
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
3524
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link