RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
57
Autour de -159% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
22
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
3987
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Corsair CM3B8G2D1600K11S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link