RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
57
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
52
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2169
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link