RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
57
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
38
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2110
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Transcend Information TS512MSK64V3N 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link