RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
374
Autour de 85% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6.8
0.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.5
1.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
374
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
0.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
1.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
269
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link