RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
57
Autour de -111% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
27
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2288
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link