RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
57
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
32
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
3621
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link