RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
57
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
52
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2306
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link