RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
57
Autour de -2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
56
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2455
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link