RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2418
2545
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link