RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Comparez
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Note globale
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2418
3098
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link