RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparez
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Note globale
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2402
2443
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link