RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparez
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Note globale
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
74
Autour de 68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
74
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2402
1616
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link