RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
19
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
19
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
3066
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link