RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
30
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
30
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
3208
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5471-049.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link