RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
24
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
24
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
4152
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link