RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
23
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
3171
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link