RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
25
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
25
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
2346
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link