RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
34
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
34
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
2902
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link