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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Super Talent F21UB8GS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
22
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Super Talent F21UB8GS 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
22
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
2200
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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