RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
30
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
30
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
1338
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link