RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Comparez
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Note globale
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
25
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2222
3680
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link