RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Comparez
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Note globale
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
39
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2201
3134
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link