RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
39
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2201
2336
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GXL 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link