RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1994
3448
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link