RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Comparez
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Note globale
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Note globale
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
75
Autour de 53% latence réduite
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
75
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.5
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1994
1717
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link