RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
35
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.5
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1994
3726
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link