RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparez
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Note globale
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
101
Autour de 65% latence réduite
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.1
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
101
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.5
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1994
1382
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link